IGBT模塊封裝底板的氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響分析

黃小娟，王豹子，葉娜，謝龍飛，高凡，劉超

（中國(guó)中車(chē)永濟(jì)新時(shí)速電機(jī)電器有限責(zé)任公司——半導(dǎo)體分公司，陜西，西安,郵編：710000）

摘要：本文簡(jiǎn)介了IGBT模塊的主要封裝工藝流程，并在相同的實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)兩組不同氧化程度的模塊分別進(jìn)行超聲波無(wú)損檢測(cè)掃描，將掃描圖像載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，通過(guò)對(duì)比兩組空洞率數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)：非氧化底板焊接空洞率較低，氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本文建議IGBT模塊在封裝之前，應(yīng)對(duì)散熱底板做好防腐處理，以確保底板不被氧化。

關(guān)鍵詞：IGBT；底板；氧化；空洞率；超聲波檢測(cè)

中圖分類(lèi)號(hào)：TN305.94                                            文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：T

Analysis of solder void ratio affected by oxidation degree of the IGBT module packaging base plate

HUANG Xiao-juan, WANG Bao-zi, YE Na, XIE Long-fei，GAO Fan, LIU Chao

(YONGJI XINSHISU ELECTRIC EOUIPMENT CO, LTD. Xian, Shannxi 710000，China)

Abstract：This paper introduces the main packaging process of IGBT module, and in the same experimental conditions, the two groups of modules of different oxidation degree of base plate be tested by SONOSCAN respectively, and then, we need to Load this scanning images into the void statistical analysis software. By comparing this void percentage dates: the rate of the non oxide plate is lower, and the rate of the oxidation of the base plate is large. Based on the result of this experiment, this paper suggests that the base plate should be treated with oxidation to ensure the base plate doesn’t oxidized before packing.

Keywords：IGBT; base plate; Oxidation; void percentage; SONOSCAN

1 引言

近年來(lái)，絕緣柵雙極晶體管（IGBT，insulated gate bipolar transistor）以其輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流。其應(yīng)用領(lǐng)域廣闊，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于高鐵及軌道交通、汽車(chē)電子、風(fēng)電、太陽(yáng)能、家電節(jié)能、UPS、數(shù)控機(jī)床、焊機(jī)、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

IGBT模塊封裝工藝中涉及的環(huán)節(jié)頗多，對(duì)高壓大功率IGBT器件的封裝而言，焊接技術(shù)對(duì)IGBT模塊的壽命和可靠性起著至關(guān)重要的作用，也是封裝過(guò)程的核心技術(shù)。檢驗(yàn)焊接質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)之一就是焊接的空洞率，當(dāng)“空洞”尺寸較大或者其局部密度過(guò)大時(shí)，則會(huì)影響焊接層的機(jī)械性能，降低連接強(qiáng)度；同時(shí)也會(huì)降低焊接層的熱導(dǎo)，導(dǎo)致器件局部過(guò)熱，引起失效。因此，焊接空洞率的高低對(duì)高壓IGBT模塊的性能和長(zhǎng)期可靠性有著較大的影響。

2 IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)

   IGBT模塊一般由IGBT芯片、二極管芯片、焊料、DBC基板、鍵合引線、散熱底板、外殼等按照工藝文件封裝而成。在IGBT模塊進(jìn)行外殼封裝之前，先將IGBT芯片和二極管芯片通過(guò)焊片將其焊接在DBC基板上，其次，將焊好芯片的DBC進(jìn)行芯片鍵合，然后再進(jìn)行二次焊接和超聲波檢測(cè)。

本文所討論的封裝工藝過(guò)程就是二次焊接和超聲波檢測(cè)。該封裝工藝過(guò)程中，先將焊接好的子單元進(jìn)行清洗，防止子單元被氧化，再將子單元、電極、焊片、焊環(huán)通過(guò)真空回流焊接爐將其焊接在鋁碳化硅的散熱底板上，然后進(jìn)行超聲波檢測(cè) ^[3]。其封裝結(jié)構(gòu)如圖1所示：

SHAPE \* MERGEFORMAT

芯片

圖1 IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)

目前，國(guó)內(nèi)外大量研究發(fā)現(xiàn)，影響IGBT模塊焊接空洞率的因素有^[1]：焊接溫度、焊接條件、焊料材質(zhì)、焊料氧化等。本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，底板氧化程度不同對(duì)焊接空洞率有較大影響。因此，本文從散熱底板氧化的角度來(lái)分析其對(duì)焊接空洞率的影響，并初步分析了不同氧化程度散熱底板與焊接空洞率的關(guān)系；此外，本文對(duì)改進(jìn)、優(yōu)化焊接工藝，提高IGBT模塊封裝工藝可靠性有重要的實(shí)踐指導(dǎo)意義。

3二次焊接工藝對(duì)IGBT空洞率的影響因素分析

    為了分析對(duì)比底板氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響，本實(shí)驗(yàn)過(guò)程中需要排除二次焊接工藝中其他因素對(duì)空洞率所造成的影響。

1、焊料

       目前，我們所采用的焊片、焊環(huán)材質(zhì)含有Sn、Pb、Ag，不存在助焊劑，且在焊接之前確保焊料不被氧化。

2、焊接溫度

在真空回流焊接過(guò)程中，將被焊接的IGBT裝載在一個(gè)托盤(pán)中，并通過(guò)電機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)使其依次在加熱區(qū)、冷卻區(qū)、真空保壓等之間運(yùn)轉(zhuǎn)。焊接過(guò)程中，可根據(jù)焊料的熔點(diǎn)溫度來(lái)選取合適的焊接溫度即可，焊接溫度完全按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件設(shè)置。

3、還原劑清洗環(huán)境

       在氮?dú)獾谋Ｗo(hù)下進(jìn)行焊接已經(jīng)成為IGBT焊接的主流技術(shù)，與甲酸技術(shù)相結(jié)合就能更好的去除清洗工藝。通常，人們使用助焊劑來(lái)去除氧化物，可以有效的防止再氧化，但是，助焊劑卻會(huì)在焊接之后留下殘留物，對(duì)焊接質(zhì)量造成不良的影響。因此，我們采用的是在氮?dú)庵屑尤肷倭壳叶康募姿幔疵馇逑醇夹g(shù)。焊接后不用任何的清洗，且無(wú)殘留物。

       焊接過(guò)程中，甲酸的含量在充足與不充足的情況下，對(duì)空洞率也是有一定的影響。在操作時(shí)，嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件要求，確保好甲酸的含量，以防甲酸對(duì)空洞率造成一定的影響。

4、降溫速率

       在冷卻過(guò)程中，也需要特別注意降溫的速率快慢，特別是在焊料結(jié)晶點(diǎn)附近降溫速率，降溫過(guò)快時(shí)，便會(huì)導(dǎo)致焊料成型的不均勻，當(dāng)降溫速率過(guò)慢時(shí)，卻會(huì)導(dǎo)致空洞率的增加，從而影響焊接質(zhì)量。因此，在實(shí)驗(yàn)時(shí)，必須按照標(biāo)準(zhǔn)的工藝文件要求來(lái)設(shè)定速率，以防影響焊接的空洞率。

4 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

為了研究底板氧化程度對(duì)焊接空洞率的影響，本文的主要實(shí)驗(yàn)過(guò)程如圖2所示。

   SHAPE \* MERGEFORMAT

、

圖2 實(shí)驗(yàn)流程

4.1 樣品制備

選擇同一批次的子單元、氧化底板、焊料，將一部分氧化底板進(jìn)行處理變?yōu)榉茄趸装濉?duì)這兩種底板分別進(jìn)行封裝，封裝技術(shù)按照標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)線工藝流程執(zhí)行，并在同一真空焊接爐里對(duì)其進(jìn)行焊接，確保這兩組的焊接條件一致。將這兩部分焊接后的模塊進(jìn)行分組，一組是氧化后的底板，一組是非氧化底板。最后，分別選取了4塊，在相同實(shí)驗(yàn)條件下，對(duì)這8塊分別進(jìn)行超聲波檢測(cè)。

4.2 實(shí)驗(yàn)條件

       空洞的無(wú)損檢測(cè)通常采用超聲波檢查設(shè)備SONOSCAN來(lái)檢測(cè)，通過(guò)超聲波穿透IGBT模塊，其中有缺陷處的空氣層可以阻斷超聲波的傳輸，即可以分層反應(yīng)出空洞的尺寸和位置。

對(duì)這兩組不同的模塊進(jìn)行超聲波檢查掃描圖像，將掃描圖載入空洞統(tǒng)計(jì)分析軟件，計(jì)算出每個(gè)DBC板焊接區(qū)域的焊接空洞占整個(gè)焊接表面的百分比率（Window area data）及每個(gè)子單元焊接面積的最大空洞面積占該子單元焊接總面積的百分比率（Largest void data）。需要在相同的實(shí)驗(yàn)條件下進(jìn)行多次試驗(yàn)進(jìn)行對(duì)比分析。

4.3 空洞率檢測(cè)

       對(duì)選取的4塊氧化底板的模塊和4塊非氧化底板的模塊進(jìn)行相同的實(shí)驗(yàn)分析，并計(jì)算出各自的焊接空洞率（其中白色亮點(diǎn)即為空洞）。

（1）以一個(gè)編號(hào)為6430的氧化底板的模塊為例，如下圖3所示，即超聲波檢測(cè)的掃描圖像和空洞所占的面積圖：

圖3 編號(hào)為6430的氧化底板模塊空洞率檢測(cè)圖

（2）以一個(gè)編號(hào)為6613的非氧化底板的模塊為例，如下圖4所示，即超聲波檢測(cè)的掃描圖像和空洞所占的面積圖：

圖4 編號(hào)為6613的非氧化底板模塊空洞率檢測(cè)圖

（3）對(duì)兩組模塊分別進(jìn)行超聲波檢測(cè)，以每個(gè)模塊的六個(gè)子單元為例，觀察空洞率的變化，如下表1所示：

表1 兩組模塊的空洞率統(tǒng)計(jì)表

5 結(jié)果分析及討論

5.1 空洞率檢測(cè)試驗(yàn)結(jié)果

通過(guò)對(duì)這兩組模塊的超聲波檢測(cè)，根據(jù)檢測(cè)的數(shù)據(jù)結(jié)果分析，氧化底板的模塊比非氧化底板的模塊焊接空洞率普遍增大，如下表2所示，該表可以直觀的看出兩組模塊焊接空洞率的變化范圍。

表2 兩組模塊的空洞率檢測(cè)結(jié)果對(duì)比分析表

5.2  結(jié)論

   通過(guò)上述分析，得出以下結(jié)論：

1） 散熱底板被氧化對(duì)IGBT模塊焊接的空洞率有明顯的影響。如果對(duì)氧化后的散熱底板進(jìn)行封裝，封裝后的IGBT模塊焊接空洞率明顯提高，達(dá)不到超聲波檢查的質(zhì)量要求，同時(shí)也降低了IGBT模塊的性能。

2）超聲波檢測(cè)出氧化底板模塊的空洞明顯靠近中心位置，相應(yīng)芯片就越接近高溫，失效的可能性也就越大。

6 工藝改進(jìn)及優(yōu)化建議

   在焊接工藝中，由于IGBT模塊封裝的工藝中涉及的環(huán)節(jié)較多，則影響IGBT模塊的焊接空洞率的因素就較多，即現(xiàn)有的工藝條件無(wú)法避免空洞的形成。那么就需要有效的防止一些可控因素對(duì)空洞率的影響。

       底板氧化對(duì)IGBT模塊空洞率的影響可通過(guò)一次真空焊接爐高溫處理，在真空焊接爐運(yùn)行過(guò)程中，需用無(wú)塵紙將每個(gè)底板隔開(kāi)進(jìn)行高溫處理，防止底板的二次污染。經(jīng)過(guò)高溫烘干處理后的底板將極大地降低了空洞的存在，從而提高了模塊的可靠性和使用壽命。

   由于現(xiàn)有的工藝條件有限，應(yīng)在以后的研究中對(duì)防止底板被氧化的工藝進(jìn)行改進(jìn)，以期進(jìn)一步降低空洞率

7 參考文獻(xiàn)

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